PECVD 系統(tǒng)（Plasma Enhanced Chemical vapor Deposition）
微型PECVD系統(tǒng)，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、物料噴射系統(tǒng)。電源范圍寬：0-100W可調(diào)； 溫度范圍寬：100-1200度可調(diào)；濺射區(qū)域?qū)挘?-600mm可調(diào)；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復(fù)合薄膜，連續(xù)生長(zhǎng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴(kuò)展等離子清洗刻蝕等功能。
主要特點(diǎn)
1. 薄膜沉積速率高：采用了甚高頻技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)10?/S；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%；
3. 一致性高：用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計(jì)理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%；
3. 一致性高：用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計(jì)理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定；
5. 選配物料噴射系統(tǒng)，可將原料直接噴射到反應(yīng)區(qū)。
6.號(hào)：ZL.0 （產(chǎn)品，防偽必究）。
技術(shù)參數(shù)
真空管式爐 | 爐管尺寸： | 外徑Φ50×700mm |
極限溫度： | 1200℃ | |
溫度控制器： | PID自動(dòng)控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器 | |
Z快升降溫速率： | 60℃ | |
加熱區(qū)： | 230mm | |
恒溫區(qū)： | 100mm | |
溫度精度： | ±1℃ | |
電源： | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計(jì)控制系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)量程： | 100，200SCCM；（以氮?dú)鈽?biāo)定，除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選） |
準(zhǔn)確度： | ±1.5% | |
工作壓差范圍： | 0.1～0.5 MPa | |
Z大壓力： | 3MPa | |
接頭類(lèi)型： | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統(tǒng)
| 泵體積流量N2： | 33 L/S |
壓縮比： | ≥1011mbar | |
實(shí)驗(yàn)真空值： | ≤10-6mbar | |
功率消耗： | 140W | |
啟動(dòng)時(shí)間： | 2min | |
電源要求： | 185-265V AC | |
射頻電源 | 信號(hào)頻率： | 13.56MHz±0.005%W |
功率輸出范圍： | 0-100W | |
Z大反射功率： | 10W |
