MSLYFVZ-75-9信號電纜型號及規格：，指標特性：內導體銅線或銅包鋁物理發泡絕緣織外導體

軟銅線 3 × 24 編織黑色聚乙烯內護套

MSLYFVZ-75-9信號電纜阻燃聚氯乙烯外護套 電氣特性：絕緣耐壓（介電強度） 1.8KV1min 不擊穿

內導體直流電阻（ 2 0 ℃時 ）≤ 5.5Ω/km

電壓駐波比 0-300MHZ 內≤ 1.2絕緣電阻：＞1000MΩ?km

特性阻抗 75 ± 3Ω

耦合損耗 60MHZ 75 ± 10dB環境溫度：－40 ～＋55 ℃

安裝敷設半徑 －15 ℃彎曲半徑：125mm

MSLYFVZ-75-9信號電纜產品用途及特點

MSLYFVZ-75-9信號電纜本產品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設施在建筑物內部在無線電波不能直接傳播與傳播不良的特殊環境下作通信系統傳輸線。

二、MSLYFYVZ-75-9礦用同軸電纜主要技術特性

使用頻率: 1GHz 以下使用環境溫度: -25"C~70'C

數設溫度:不低于-10C

彎曲半徑:不大于電纜外徑的15倍。

MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在MOSFETRds（on）已經能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護電路中PMOS元件的襯底。



兩路比較器的輸出端與R-S觸發器的置位和復位相接，從而決定芯片3腳輸出端的電平狀態。當芯片2腳（/TR端）輸入信號電壓低于1/3Vcc時，N1輸出端為“0”，R-S觸發器被置位，芯片3腳變高電平，（在復位信號未輸入之前）并保持；當芯片6腳輸入電壓高于2/3Vcc時，N2輸出端為“1”，R-S觸發器被復位（在置位信號未輸入之前）并保持。芯片4為優先復位端（低電平有效），不用時可接Vcc。顯然，作為開關電路應用時，只要控制芯片2腳電壓低于1/3Vcc，電路處于“開”態（3腳為“1”）；控制芯片6腳高于2/3Vcc，電路即處于“關”態（3腳為“0”），即為開關（雙穩態）電路。