等離子體納米提升系統
簡介
等離子體化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激活并實現化學氣相沉積的技術。
PCVD與傳統CVD技術的區別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激活能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。
等離子體納米提升系統
射頻等離子體學氣相沉積是等離子體增強化學氣相沉積技術中的一種，其特點在于等離子體是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發生電離而產生。根據射頻電場耦臺形式的不同，可以分為射頻感應耦合斌和射頻電容耦合式。
原理及特點
原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態物質激活及化學反應等。主要工藝參數有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。
