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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

電源模塊380V轉(zhuǎn)24V20W寬電壓輸入

參考價(jià) 32.5
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱廣州高雅信息科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)AP24N20-HV
  • 所  在  地廣州市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2021/8/30 14:30:29
  • 訪問(wèn)次數(shù)666
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廣州高雅信息科技有限公司,座落于廣州市天河區(qū),毗鄰廣州科學(xué)城,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)于一體的AC-DC電源模塊廠家。公司擁有專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)過(guò)立項(xiàng)評(píng)審、方案評(píng)審、樣品測(cè)試、小批量試驗(yàn)、批量定型等設(shè)計(jì)論證和工程制造驗(yàn)證,及各種可靠性試驗(yàn),保證電源設(shè)計(jì)質(zhì)量。


我司生產(chǎn)的AC-DC電源模塊關(guān)鍵元器件采用物料,如TDK,YAGEO,RUBYCON ,EVERLIGHT。使用自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備和工藝,使得產(chǎn)品一致性非常好。公司擁有測(cè)試設(shè)備,所有產(chǎn)品通過(guò)初測(cè)、老化和終測(cè)三次測(cè)試,從而保證了 “HIECUBE” 電源產(chǎn)品的高可靠性。提供3-36W中小功率模塊電源產(chǎn)品,致力于在中小功率領(lǐng)域提供專業(yè)化的產(chǎn)品及服務(wù),所生產(chǎn)的電源模塊已廣泛應(yīng)用于電力、工業(yè)控制、儀器儀表、醫(yī)療電子、軌道交通、通訊通信、安防、智能化體系等領(lǐng)域。


AC-DC電源模塊
產(chǎn)品認(rèn)證 ce 工作溫度 -40~70℃
加工定制 頻率范圍 50/60
輸出電流 800mA 輸出電壓 24V
輸出功率 20W 輸入電壓 85~500V
針腳數(shù) 6
電源模塊380V轉(zhuǎn)24V20W寬電壓輸入,小體積AC-DC模塊電源,輸入電壓85~500VAC/100~700VDC,交直流兩用。
電源模塊380V轉(zhuǎn)24V20W寬電壓輸入 產(chǎn)品信息

電源模塊380V轉(zhuǎn)24V20W寬電壓輸入,小體積AC-DC模塊電源,具有寬輸入電壓范圍、交直流兩用、低功耗、高效率、高可靠性、安全隔離等優(yōu)點(diǎn)。


電源模塊380V轉(zhuǎn)24V20W寬電壓輸入的產(chǎn)品特點(diǎn)

輸入電壓:85~500VAC/100~700VDC,交直流兩用

高效率、高功率密度、低功耗

輸出短路、過(guò)流和過(guò)溫保護(hù)

通過(guò) Rohs、CE認(rèn)證

工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)設(shè)計(jì),PCB安裝方式

質(zhì)保三年

MosFET在供電電路中的作用是電流開(kāi)關(guān),它可以在電路中實(shí)現(xiàn)單向?qū)ǎㄟ^(guò)在控制極也就是柵極加上合適的電壓,就可以讓MosFET實(shí)現(xiàn)飽和導(dǎo)通,而MosFET的調(diào)壓功能則是可以通過(guò)PWM芯片控制通斷比實(shí)現(xiàn)。

MosFET有四項(xiàng)重要參數(shù),分別是電流(能承受的電流)、電壓(能承受的電壓)、導(dǎo)通電阻(導(dǎo)通電阻越低電源轉(zhuǎn)換效率越高)以及承受溫度(所能承受的溫度上限),原則上來(lái)說(shuō)電流越大、電壓越高、導(dǎo)通電阻越低、承受溫度越高的MosFET品質(zhì)越好。不同MosFET會(huì)有不同優(yōu)勢(shì),選擇什么樣的MosFET是需要從實(shí)際情況出發(fā)考慮的。

在開(kāi)關(guān)電源供電電路中,MosFET是分為上橋和下橋兩組,運(yùn)作時(shí)分別導(dǎo)通。而有注意MosFET布置的玩家可能會(huì)發(fā)現(xiàn),多數(shù)開(kāi)關(guān)電源供電電路中的上橋MosFET往往在規(guī)模上不如下橋MosFET,實(shí)際上這個(gè)與上下橋MosFET所需要承擔(dān)的電流不同有關(guān)。上橋MosFET承擔(dān)是的外部輸入電流,一般來(lái)說(shuō)是12V電壓,因此在同樣功率的前提下,上橋MosFET導(dǎo)通的時(shí)間更短,承擔(dān)的電流更低,所需要的規(guī)模自然可以低一些。而下橋MosFET承擔(dān)的是CPU或GPU的工作電壓,一般來(lái)說(shuō)僅在1V左右,因此在相同功率的環(huán)境下,其承擔(dān)的電流是上橋MosFET的10倍,導(dǎo)通的時(shí)間更長(zhǎng),所需要的規(guī)模自然更高了。

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