公司介紹：
NTT-AT有著多年的X射線、極紫外光學(xué)配件的研發(fā)與銷售經(jīng)驗。在范圍內(nèi)，通過與眾多來自同步輻射科學(xué)，阿秒科學(xué)，高強度物理學(xué)等領(lǐng)域的科學(xué)研究者開展緊密合作，積累了大量*的設(shè)計與制造技術(shù)，其產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)享有很高的評價。NTT-AT提供的菲涅爾波帶片有著高分辨率，高聚光效率等特點，適合被各種輻射光設(shè)施使用。另外，分辨率測試卡被當作業(yè)界的標準。不只是學(xué)術(shù)研究，在X射線的檢查裝置開發(fā)現(xiàn)場也被廣泛使用。XUV鏡片，XUV濾波片不僅對阿秒科學(xué)有著幫助，對下一代的光刻研究也有這重要作用。NTT-AT將在XUV,EUV, X線領(lǐng)域給予客戶在研發(fā)上的幫助。
產(chǎn)品介紹：
世界上只有恩梯梯技術(shù)公司生產(chǎn)基于SiC膜的 FZP
優(yōu)點：
恩梯梯技術(shù)公司的由SiC膜和Ta吸收體圖案組成的菲涅耳波帶板（FZP）具有出色的高耐X射線輻射性、高分辨率和高對比度。
只有恩梯梯技術(shù)公司提供基于SiC膜的菲涅耳波帶板（FZP）具有出色的高耐X射線輻射性。恩梯梯技術(shù)公司的FZP由干法蝕刻的Ta組成。吸收體圖案清晰，S/N比高，成像缺陷少, 能理想地應(yīng)用于X射線顯微鏡、X射線微光束輻射和X射線成像。
另外，還提供用于軟X射線和極紫外（EUV、XUV）領(lǐng)域的Ta圖案／SiN膜型FZP和Au板圖案／SiN 膜型FZP。并提供臺階式（基諾全息照片）FZP。
特點:
能用于X射線顯微鏡、EUV顯微鏡、X射線微光束輻射和同步加速器輻射光束監(jiān)視等各種X射線應(yīng)用。
出色的高耐X射線輻射性
最小區(qū)域?qū)挾冗_25納米
可定制FZP
菲涅耳波帶板（FZP）的X射線吸收體圖案
可按要求定制設(shè)計FZP，滿足用戶的特殊X射線能量、光學(xué)設(shè)置和聚焦、圖像性能。如果本公司的標準產(chǎn)品商品目錄中沒有所需的產(chǎn)品，請聯(lián)系我們。
（φ2.5mm）（光學(xué)顯微鏡）
（SEM）
菲涅耳波帶板（FZP）的結(jié)構(gòu)
臺階（基諾全息照片）式
| 最小區(qū)域?qū)挾?/span> | 25納米 |
| 直徑 | 5毫米 |
| 膜材料 | SiN, SiC |
| 膜厚度 | 0.2至2微米 |
| 吸收體材料 | Ta |
| 吸收體厚度 | 0.1至2微米 |
| Si基板形狀 | 10平方毫米 |
| Si基板厚度 | 1毫米 |
※我們可與用戶商討不同需求。
帶規(guī)格的標準產(chǎn)品列表
| 型號 | 寬高 比 | 膜 材料 | 膜 厚度 （微米） | ΔRn （納米） | D （微米） | N | Tm （納米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZP-S38/84 | 4.2 | SiN | 0.15 | 38 | 84 | 550 | 160 |
| FZP-S50/80 | 5 | SiN | 0.2 | 50 | 80 | 400 | 250 |
| FZP-S40/155 | 5 | SiN | 2 | 40 | 155 | 970 | 200 |
| FZP-S50/330 | 8 | SiN | 1 | 50 | 330 | 1,650 | 400 |
| FZP-S86/416 | 8 | SiN | 2 | 86 | 416 | 1,200 | 700 |
| FZP-100/155 | 8 | SiN | 2 | 100 | 155 | 388 | 800 |
| FZP-173/208 | 5.8 | SiN | 2 | 173 | 208 | 300 | 1,000 |
| FZP-200/206 | 8 | SiN | 2 | 200 | 206 | 255 | 1,600 |
| FZP-C234/2500 | 0.6 | SiC | 0.2 | 234 | 2,500 | 2,670 | 150 |
※規(guī)格可能會變更，恕不預(yù)先通告。
Rn：最外區(qū)域?qū)挾?br hiragino="" kaku="" gothic="" meiryo="" white-space:="" style="color: rgb(85, 85, 85);"/>D：直徑
N：全區(qū)域
Tm：Ta厚度
標準交付周期：12個星期
產(chǎn)品示例
| |
| 菲涅耳波帶板（FZP）直徑：250微米，Ta厚度：125納米，最外區(qū)域?qū)挾龋?5納米，膜：SiC 2.0微米 | |
|
|
| |
| 菲涅耳波帶板（FZP）直徑：100微米，Ta厚度：2.5微米，最外區(qū)域?qū)挾龋?50納米，膜：SiN 2.0微米 | |
|
|
| |
| 菲涅耳波帶板（FZP）直徑：100微米，Ta厚度：4.0微米，最外區(qū)域?qū)挾龋?00納米，膜：SiC 2.0微米 | |
|
|
菲涅耳波帶板（FZP）中間區(qū)域的SEM 圖：臺階（基諾全息照片）式菲涅耳波帶板（FZP）、Ta圖案 | |
