使用中的注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵通過層氧化膜與發(fā)射實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓般達到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵擊穿是IGBT失效的常見原因之。因此使用中要注意以下幾點:
1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當要觸摸模塊端子時,要先 將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時雖然保證了柵驅(qū)動電壓沒有超過柵大額定電壓,但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵—發(fā)射間開路時,若在集電與發(fā)射間加上電壓,則隨著集電電位的變化,由于集電有漏電流流過,柵電位升高,集電則有電流流過。這時,如果集電與發(fā)射間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合,當柵回路不正常或柵回路損壞時(柵處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵與發(fā)射之間串接只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進行檢查,般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當溫度過高時將報或停止IGBT模塊工作。