產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。
產(chǎn)品型號(hào) | GSL-CKJS-560-B2磁控濺射 | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場(chǎng)地：設(shè)備尺寸3500×1600mm，承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 | ||
主要特點(diǎn) | 1、真空度高。 2、可制備多種薄膜，金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等，應(yīng)用廣泛。 3、體積小，操作簡(jiǎn)便。 4、清理安裝便捷。 5、控制可選一體化觸摸屏控制。 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、主濺射室尺寸：Ø560×355mm梨形真空室 2、主濺射室真空度：5×10-6Pa 3、進(jìn)樣室尺寸: Ø255×430mm 4、進(jìn)樣室真空度：5×10-4Pa 5、永磁靶5套，靶材尺寸φ2″，各靶射頻與直流濺射兼容（其中1個(gè)靶可濺射鐵磁材料） 6、公轉(zhuǎn)樣品臺(tái)6個(gè)工位，5個(gè)水冷工位，1個(gè)加熱工位，加熱工溫度 600℃±1℃ 7、樣品尺寸：φ1″，可放置6片 8、基片可加-200V負(fù)偏壓 9、進(jìn)樣室可一次性安裝6片樣品，可對(duì)被鍍樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度 800℃±1℃ 10、進(jìn)樣室可對(duì)基片進(jìn)行反濺清洗 11、進(jìn)樣室和主濺射室之間通過(guò)磁力樣品機(jī)構(gòu)進(jìn)行樣品傳遞 | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸：2700×900mm×2000mm。 | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得系統(tǒng) | 1套 | |
3 | 真空測(cè)量裝置 | 1套 | |
