感應耦合等離子體刻蝕機技術
1. 設備主要原理與功能
設備利用射頻天線，通過感應耦合方式在放電腔中產生高密度等離子體，刻蝕工作臺同時引入射頻偏壓，在射頻偏壓作用下，等離子體垂直向下對未被掩蔽的被刻蝕材料表面進行物理轟擊，并與材料表面發生化學反應，達到對樣品進行化學物理相結合刻蝕的目的。
2. 設備組成結構
設備主要由高真空刻蝕室、真空獲得系統、真空測量系統、恒壓系統、電源系統、感應耦合電極與勻氣系統、射頻偏壓電極、水冷升降工件臺、氣路系統、電氣與全自動控制系統、安全保護及自動報警系統等部分組成。
3. 設備主要用途與特點
u 設備適用于大學、研究院所、企業研發機構通用的感應耦合等離子體刻蝕的科研與教學。
u 設備刻蝕材料廣泛，包括并不限于單晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等。
u 采用新型柱狀耦合電極結構，氣體離化率與等離子體密度更高。
u 可自動在線調節刻蝕距離，適合不同工藝特性。
u 帶有自動壓力控制系統，刻蝕工藝更穩定。
u 設備采用全自動化控制。
4. 設備主要技術指標
4.1 腔體尺寸：Φ300mm*H300mm，經氧化處理的鋁質桶形臥式結構，上蓋自動開閉。
4.2 極限真空度：≤5×10-4Pa；
4.3 系統漏率：5×10-7Pa.l/s；
4.4 靜態升壓：系統停泵關機后12小時后，真空度≤5Pa
4.5 系統進清洗充干燥N2解除真空，短時暴露大氣后抽氣抽至5×10-3Pa時間小于20min，至9×10-4Pa≤40min。
4.6 射頻陰極尺寸：Φ200mm。
4.7 刻蝕均勻性：≤±5%（Φ6英寸）
4.8 主要工藝氣體配置：SF6、CHF3、CF4、O2、Ar、N2（視具體刻蝕工藝）
4.9 電源配置
u 耦合電極（上電極）：13.56MHz，1000W，自動匹配
u 偏壓電極（下電極）：13.56MHz，600W，自動匹配
4.10 自動壓力控制系統：包含
4.11 刻蝕距離自動調節范圍：20mm-80mm，調節精度：1mm
4.12 水冷工作臺溫度：<15℃
4.13 腔壁冷卻：包含
4.14 控制方式：基于PLC及工控機的全自動、半自動控制方式
4.15 包含安全報警系統
5. 設備主要配置
5.1 真空刻蝕腔體、樣品架系統、一體機架、輔助設施，1套（定制）
5.2 分子泵1臺，抽速600L/s（北京中科科儀KYKY）
5.3 直連旋片式真空泵1臺，抽速8L/s（日本真空獨資寧波愛發科）
5.4 超高真空電動調節插板閥1臺，Φ150mm（北京中科科儀KYKY）
5.5 真空測量系統1套（成都睿寶/成都正華）
5.6 自動壓力控制系統1套（創世威納），含進口薄膜真空計（德國INFICON）。
5.7 射頻電源及自動匹配器： 1000W，1套（美國ceres）；600W，1套（美國ceres）
5.8 質量流量控制器：6臺（北京七星華創）
5.9 工藝氣路：6條（定制配套）
5.10 射頻耦合電極及射頻引入器1套（定制）
5.11 可調距離射頻陰極及射頻引入器1套（定制）
5.12 自動控制系統1套。PLC及模塊（德國西門子）、工控機（研華工控）、顯示器（飛利浦）
5.13 空氣壓縮機1臺（上海岱洛）
5.14 冷卻循環隨機1臺（同洲維普）
6. 設備外形尺寸、重量
L1200mm*W900mm*H1600mm，500Kg
7. 設備使用條件
7.1配電箱：
AC380V 60A 5KW三相四線制。
留有380V 40A空開一個。
AC220V 10A三頭Wan能插座一個。
AC220V 16A三頭Wan插座一個。
7.2排氣接口：∮40mm接口兩個。
7.3接地要求：接地電阻≤4Ω。
7.4工藝氣體進氣口規格：1/4″不銹鋼管，雙卡套連接。
7.5工藝氣體與配套減壓閥（視工藝而定）。例如：O2、Ar、N2等。
感應耦合等離子體刻蝕機-武漢賽斯特
感應耦合等離子體刻蝕機-武漢賽斯特
