測試IGBT曲線圖示追蹤儀華科智源
測試種類及參數
- 、Diode（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 靜態參數：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；
- 、MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 靜態參數：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內阻
- 、IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 靜態參數：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流
六、 測試IGBT曲線圖示追蹤儀華科智源參數指標
1、設備概述 | |||
1.1 | 設備數量 | 1套 | |
1.2 | 設備功能 | 測試功率半導體器件靜態參數 | |
1.3 | 設備組成 | 設備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 | |
1.4 | 硬件模塊 | 設備硬件部分應包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 | |
1.5 | 軟件模塊 | 設備軟件部分應包括： 1.操作系統、備份、保存、編輯、上傳等基本功能； 2.圖形化操作界面； 3.輸出EXCEL、word版測試報告 4.切換大小功率測試模塊，達到相應測試精度 5.I-V特性曲線，曲線上測試點數據可以導出到EXCEL表格； 6.同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比； | |
2、設備尺寸 | |||
2.1 | 設備總體長度 | ≤ 500mm | |
2.2 | 設備總體寬度 | ≤450mm | |
2.3 | 設備總體高度 | ≤300mm | |
3、技術指標 | |||
★ | 3.1 | 機臺可測試器件類型 | 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 |
★ | 3.2 | 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 | VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,2000A以下的IGBT模塊 |
★ | 3.3 | 機臺可測MOS項目 | Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on) |
★ | 3.4
| VGE(th)柵極閾值電壓測量范圍 | 0.1～10V分辨率：0.001V |
3.5 | VGE(th) 測試條件與精度 | VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； | |
★ | 3.6 | VCES集射極截止電壓測量范圍 | 0~5000V 分辨率0.1V |
3.7 | VCES 測試條件與精度 | 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1%±2V； | |
★ | 3.8 | ICES集射極截止電流測量范圍 | 0.01～50mA 分辨率 0.001uA |
3.9 | ICES 測試條件與精度 | 集電極電壓VCES： 50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； | |
★
| 3.10 | VCE(sat)飽和導通壓降測量范圍 | 0.001～10V 分辨率 1mV |
3.11 | VCE(sat) 測試條件與精度
| 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A； | |
★ | 3.12 | Iges柵極漏電流 測量范圍 | 0.01～10μA 分辨率 0.1nA |
3.13 | Iges 測試條件與精度 | 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～100V±1%±0.1V； Vce=0V； | |
★ | 3.14 | VF正向特性測試 測量范圍 | 0.1～10V 分辨率 0.001V |
3.15 | VF正向特性測試 測試條件與精度 | 二極管導通電壓Vf： 0.1～10V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A； | |
