華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態測試儀業務范圍：大功率半導體測試系統研發、生產、銷售及服務支持，同時還承擔著同類進口產品的售后維修服務，測試技術服務。
華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態測試儀產品優勢：性價比高，可測器件種類多且參數齊全、測試精度高、速度快、保護性強、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務及時周到。
服務領域：軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。
功能單元 | 參數指標 |
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基本參數 | 功率源：5000V/1600A |
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柵極-發射極漏電流 | IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA |
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IGES | 集電極電壓VCE: 0V |
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柵極電壓 Vge: 5-40V±3±0.1V | ||
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集電極電壓VCES: 200-3000V±2±10V |
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集電極-發射極電壓 | 集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA |
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柵極電壓 Vge: 0V |
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集電極-發射極飽和 | VCESat:0.1-5V±2±0.01V |
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電壓VCESat | 柵極電壓Vge: ±15V±2±0.2V |
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集電極電流ICE: 10-100A±2±1A | ||
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集電極-發射極截止 | 集電極電壓VCE: 200-3000V±3 |
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集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA | ||
電流ICES | ||
柵極電壓VGE: 0V | ||
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柵極-發射極閾值電 | VGEth: 1-10V±2±0.1V |
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壓 | Vce=15V |
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二極管壓降測試 | VF: 0.1-5V±2±0.01V |
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IF:5-100A±2±1A | ||
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Vge: 0V |
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反向擊穿BVR | BVR：200-3000V±2±10V |
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反向漏電流IR | IR：0.1-10mA±3±0.01mA |
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導通電阻RDS（on） | 1-10mΩ±2±0.1 mΩ |
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10-50mΩ±2±0.5 mΩ |
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