VOC廢氣處理設(shè)備低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。
VOC廢氣處理設(shè)備
光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物*氧化成無(wú)毒無(wú)害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理。
從理論上講，只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽(yáng)光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
