碳化硅激光雕刻機(jī) 半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)
氮化鎵激光切割機(jī),精密GAN激光劃線機(jī) 碳化硅激光雕刻機(jī) 半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī) GAN激光切割系統(tǒng)
“新基建”作為新興產(chǎn)業(yè),一端連接著不斷升級(jí)的消費(fèi)市場(chǎng),另一端連接著飛速發(fā)展的科技創(chuàng)新。值得注意的是,無(wú)論是5G、新能源汽車還是工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等,“新基建”各個(gè)產(chǎn)業(yè)的建設(shè)都與半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)。例如:
以氮化鎵(GaN) 為核心的射頻半導(dǎo)體,支撐著5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè);以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體,支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè);以AI芯片為核心的SOC芯片,支撐著數(shù)據(jù)中心、人工智能系統(tǒng)的建設(shè)。
GaN功率器件
GaN功率器件,與前述GaN射頻功率芯片有所區(qū)分。主要指在高電壓和較大電流下工作,與高頻和射頻關(guān)系不大。這類常見(jiàn)的應(yīng)用是電源相關(guān)的芯片。
功率器件主要是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。不同于其他依靠電流驅(qū)動(dòng)的晶體管,MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只需在門(mén)極施加一個(gè)合適的電壓,MOSFET就會(huì)導(dǎo)通。這一特性讓MOSFET在AC/DC開(kāi)關(guān)電源、變速電機(jī)、熒光燈、DC/DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備中有著無(wú)法替代的作用。
GaN功率器件的主要應(yīng)用:
消費(fèi)電子:GaN由于高功率密度和良好的溫度特性,用在電源上可兼顧小體積與大功率輸出,此外還具有更好的開(kāi)關(guān)特性