三溫區頂部籽晶助溶劑法單晶生長爐系列是一款3溫區頂部籽晶助熔劑法(TSSG)晶體生長爐。此設備主要由3部分組成:3溫區加熱爐(爐膛尺寸為:Φ127mm×600mm,zui高溫度為1200℃),溫控系統可設置28段溫度程序段,控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構,其提拉速度為0.8-50mm/hour.
三溫區頂部籽晶助溶劑法單晶生長爐系列
3溫區加熱: 150mm+300mm+150mm,三個溫區由獨立的溫控系統控制,可創造出較大的溫度梯度
zui高工作溫度: 1200℃(小于1小時)
連續工作溫度: 1100ºC
功率: 208V- 240V AC, 50/60Hz, 單相
zui大功率: 5KW
?合肥科晶材料技術有限公司成立于1997年,是美國MTI公司與中科院合肥物質科學研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體(A-Z)系列材料研發生產、濺射靶材制備和材料實驗室及電池研發全套設備。公司從成立之初研發高溫超導薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起,目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應商。設備研發的各種高溫爐,大尺寸高溫高壓爐,熱等靜壓爐,單晶生長爐等,用于石墨烯、高通量、蒸發鍍膜、高溫超導薄膜、超導塊材和線材的制備設備,涉及新能源材料,電池制備等成套設備,并為科研工作者提供材料研究解決方案,已經成為企業。