三溫區頂部籽晶助溶劑法單晶生長爐系列是一款3溫區頂部籽晶助熔劑法（TSSG）晶體生長爐。此設備主要由3部分組成：3溫區加熱爐（爐膛尺寸為：Φ127mm×600mm,zui高溫度為1200℃），溫控系統可設置28段溫度程序段，控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構，其提拉速度為0.8-50mm/hour.

三溫區頂部籽晶助溶劑法單晶生長爐系列

3溫區加熱： 150mm+300mm+150mm，三個溫區由獨立的溫控系統控制，可創造出較大的溫度梯度

zui高工作溫度： 1200℃（小于1小時）

連續工作溫度:  1100ºC

功率:  208V- 240V AC, 50/60Hz, 單相

zui大功率： 5KW

?合肥科晶材料技術有限公司成立于1997年，是美國MTI公司與中科院合肥物質科學研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體（A-Z）系列材料研發生產、濺射靶材制備和材料實驗室及電池研發全套設備。公司從成立之初研發高溫超導薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起，目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應商。設備研發的各種高溫爐，大尺寸高溫高壓爐，熱等靜壓爐，單晶生長爐等，用于石墨烯、高通量、蒸發鍍膜、高溫超導薄膜、超導塊材和線材的制備設備，涉及新能源材料，電池制備等成套設備，并為科研工作者提供材料研究解決方案，已經成為企業。