半導體的能帶結構通常是由一個充滿電子的低價帶和一個高空的高能導帶構成，價帶和導帶之間的區域稱為禁帶，域的大小稱為禁帶寬度。半導體的禁帶寬度一般為0.2~3.0eV，是一個不連續區域。半導體的光催化特性就是由它的特殊能帶結構所決定的。當用能量等于或大于半導體帶隙能的光波輻射半導體光催化時，處于價帶上的電子就會被激發到導帶上并在電場作用下遷移到例子表面，于是在價帶上形成了空穴，從而產生了具有高活性的空穴電子對。空穴可以奪取半導體表面被吸附物質或溶劑中的電子，使原本部吸收光的物質被激活并被氧化，電子受體通過接受表面的電子而被還原。

光解主要是利用185和O2結合產生的臭氧，185直接作用輔助，光催化也一樣，光催化就是利用了254波長照射TIO2*在有水分情況下產OH-，這個有強氧化性，也可以分解一部分有機氣體，光催化是日本傳進來的。但光催化產生的0H-自由基只能附著在固體網的表面，存活時間是10的負5至負6次方秒，時間短。不過一直在產生，一次性分解效率一般不會超過5%，適合用在家用空氣凈化機對室內空氣往返循環的環境。254波長的都可以的，185波長的更可以，波長越短能量越強。只是185NM波長的只能在真空環境了存在，在普通有空氣的環境射程短，大部分和O2結合把O2電離成了O+O,O+O2生產了O3臭氧，但185的在燈管近距離總還是有一部分

5000風量UV光氧

該公司的*先開發的高功率與超高功率低氣壓UV放電管發出的具有代表性的紫外線是253.7nm及184.9nm，光子能量分別為472KJ/mol和647KJ/mol，能切斷絕大多數的分子結合。UV照射固體表面后，表面的污染物有機分子結合被強的光能切斷、氧化，而后被分解成CO2和H2O等易揮發性物質，終揮發消失。表面被清洗后的其清潔度*，能把膜狀的油污清洗到單分子層以下。