廢氣處理成套設備含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后，進入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應的工藝調整。
廢氣處理成套設備等離子體具有導電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根據狀態、溫度和離子密度，等離子體通常可以分為高溫等離子體和低溫等離子體（包子體和冷等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學平衡狀態，它主要應用在受控熱核反應研究方面。而低溫等離子體則學非平衡狀態，各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。
常見的產生等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電是指通過某種機制使一電子從氣體原子或分子中電離出來，形成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電離氣由外電場產生并形成傳導電流，這種現象稱為氣體放電。根據放電產生的機理、氣體的壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③介質阻擋放電；④射頻放電；⑤微波放電。無論哪一種形式產生的等離子體，都需要高壓放電。容易打火產生危險。由于對諸如氣態污染物的治理，一般要求在常壓下進行。
光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物*氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒技術則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規的催化、氧化方法亦需要高溫。
從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發產生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優點，具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
