施耐德XSZFD6439接近開關

霍爾效應原理在垂直于外磁場的方向上放置導體，給導體通以電流。導體中的電使金屬中自由電子在電場作用下做定向運動。置于磁場中的靜止載流導體，當它的電方向與磁場方向不*時，載流導體上平行于電和磁場方向上的兩個面之間產生電動勢，這種現象稱為霍爾接近開關傳感器的效應。該電動勢稱為霍爾電動勢。

　　電子受洛倫茲力的作用大小為：FL=EUB

　　公式中：E-電荷;U-電子平均運動速度;B-磁感應強度。

　　電子除了沿電流反方向作定向運動外，還在FL的作用下漂移，結果使金屬導電板內側面積累電子，而外側面積累正電荷，從而形成了附加內電場EH，稱為霍爾電場，霍爾電場強度為：EH=UH/B

　　公式中：UH-電位差;B-霍爾元件寬度。

由于霍爾電場的存在，使作定向運動的電子除了受到洛倫茲力的作用外，還要受到霍爾效應產生的電場力的作用，其力的大小為FH=EEH，此力阻止電荷繼續累積。隨著內、外側面積累電荷的增加，霍爾接近開關傳感器的電場增大，電子受到的霍爾電場力也增大因為電子所受洛倫茲力與霍爾電場作用力方向相反，當二者大小相等時達到動態平衡狀態，此時電荷將不再向兩側面累積。

　　霍爾電動勢正比于激勵電流及磁感應強度，其霍爾元件的靈敏度與霍爾系數成正比，與霍爾元件的存度成反比。因此，為了提高靈敏度，霍爾元件常制成薄片形狀。若要霍爾效應強，則希望有較大的霍爾系數，因此要求霍爾元件材料有較大的電阻率和載流子遷移率。一般金屬材料載流子遷移率很高，但電阻率很小;而絕緣材料電阻率*，但載流子遷移率極低，故只有半導體材料才適于制造霍爾元件。目前常用的霍爾元件材料有：鍺、硅、砷化甸、銻化甸等半導體材料。其中N型鍺容易加工制造，其霍爾系數、溫度性能和線性度都較好。N型硅的線性度，其霍爾系數、溫度性能同N型鍺。銻化甸對溫度敏感，尤其在低溫范圍內溫度系數大，但在室溫時其霍爾系數較大。砷化甸的霍爾系數較小，溫度系數也較小，輸出特性線性度好。

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