一、設備概述:
T-ALD原子層沉積系統是專門為科研和工業小型化量產用戶而設計的多片沉積系統。該系統電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。
二、產品優勢:
*的軟件控制系統：系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體。
三、技術指標:
基片尺寸 12英寸及以下尺寸
基片加熱溫度 室溫~300℃
前驅體源路數 標準3路前驅體管路，可選配
前驅體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥
本底真空 <5x10-3Torr，進口防腐泵
載氣系統 N2或者Ar
長模式 連續和停留沉積模式任意選擇
控制系統 PLC+觸摸屏或者顯示器
電源 50-60Hz，220V/20A交流電源
沉積非均勻性 非均勻性<±1%
設備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm
四、可沉積薄膜種類:
單 質：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
五、ALD應用實例:
存儲容性電介質，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結構鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結構納米薄膜。
