鄒平光氧催化廢氣凈化
鄒平光氧催化廢氣凈化簡介： 光催化氧化設備使用的十分頻繁，它與提倡的環保與時俱進，是在可見光的照射和作用下發生催化氧化反應，將有害的VOC廢氣、臭氣異味廢氣降解為無害的CO2和H2O，從而使VOC廢氣、臭氣異味得以消除。
光化學及光催化氧化法是目前研究較多的一項高級氧化技術。所謂光催化反應，就是在光的作用下進行的化學反應。光化學反應需要分子吸收特定波長的電磁輻射，受激產生分子激發態，然后會發生化學反應生成新的物質，或者變成引發熱反應的中間化學產物。光化學反應的活化能來源于光子的能量，在太陽能的利用中光電轉化以及光化學轉化一直是十分活躍的研究領域。
光催化氧化技術利用光激發氧化將O2、H2O2等氧化劑與光輻射相結合。所用光主要為紫外光，包括uv-H2O2、uv-O2等工藝，可以用于處理污水中CCl4、多氯聯苯等難降解物質。另外，在有紫外光的Fenton體系中，紫外光與鐵離子之間存在著協同效應，使H2O2分解產生羥基自由基的速率大大加快，促進有機物的氧化去除。
產品優勢
1）、凈化效率高，運行穩定。
2）、結構緊湊、設計新穎、體積小、重量輕、運輸方便。
3）、噪聲≤45dB（A），設備風阻≤100Pa。
4）、運行成本低、能耗低。
5）、紫外光氧化分解＋碳化技術。
6）、安裝及操作方便。
7）、清洗及維護方便，使用壽命長。
光氧催化原理：
當能量高于半導體禁帶寬度的光子照射半導體時，半導體的價帶電子發生帶間躍遷，從價帶躍遷到導帶，從而產生帶正電荷的光致空穴和帶負電荷的光生電子。光致空穴的強氧化能力和光生電子的還原能力導致半導體光催化劑引發一系列光催化反應的發生。
半導體光催化氧化的羥基自由基反應機理，得到大多數學者的認同。即當TiO2等半導體粒子與水接觸時，半導體表面產生高密度的羥基。由于羥基的氧化電位在半導體的價帶位置以上，而且又是表面高密度的物種，因此光照射半導體表面產生的空穴首先被表面羥基捕獲，產生強氧化性的羥基自由基：
TiO2—hv—e-+TiO2(h+)
TiO2(h+)+H2O——TiO2+H++·OH
TiO2(h+)+OH-——TiO2+·OH
當有氧分子存在時，吸附在催化劑表面的氧捕獲光生電子，也可以產生羥基自由基：
O2+nTiO2(e-)——nTiO2+·O2-
O2+TiO2(e-)+2H2O——TiO2+H2O2+2OH-
H2O2+TiO2(e-)一TiO2+OH-+·OH
光生電子具有很強的還原能力，可以還原金屬離子：
Mn++nTiO2(e-)——M0+nTiO2[1]
性能參數
1、處理風量：2000m3/h---100000 m3/h;
2、有機廢氣凈化效率：≥95%；
3、設備阻力：≤300Pa;
4、電源電壓：380V 50HZ
5、電功率：500W-6000W
6、備噪聲：≤45Db
