活性氧化鋁除了CO2解吸外，另一個容易被忽視的是N2和O2的解吸（主要是N2，空分設備中使用的13X活性氧化鋁對N2的吸附能力強于O2），活性氧化鋁增壓時會吸附大量N2，我們計算過，將裝填有活性氧化鋁的純化器增壓至一定壓力所需要的空氣量是將相同容積的空容器增壓至同樣壓力所需空氣量的3倍以上！這說明活性氧化鋁增壓過程中會吸附大量N2，這種吸附作用當然也會放出熱量，這個過程放出的熱量可能是活性氧化鋁容器絕熱充氣過程放出熱量的10倍以上。當然，活性氧化鋁對CO2的吸附能力強于N2，對H2O的吸附能力又強于CO2，所以，在活性氧化鋁使用時，活性氧化鋁先吸附N2，然后N2被CO2置換，CO2又被H2O置換，到使用末期，基本上是活性氧化鋁和活性氧化鋁底層吸附H2O，活性氧化鋁中下層吸附CO2，活性氧化鋁頂上層仍然吸附著N2。我們在空分設備用空氣加溫吹掃時做過試驗，發現在增壓末期活性氧化鋁純化器內是明顯的富氧，而泄壓末期純化器內是氧含量低于10％的富氮，即使活性氧化鋁剛使用幾分鐘就泄壓也會出現這種情況。以前見過安鋼的一篇文章，說活性氧化鋁檢修時出現氧含量低，已經用空氣使用過了，怎么泄壓后氧含量還會低？他們認為是下塔氣體倒流至活性氧化鋁純化器所致， 。下塔氣體倒流自然可能引起活性氧化鋁純化器內氧含量低，但活性氧化鋁本身對N2的吸附和解吸作用也會出現這種富氮的情況。首先所要解決的問題就是，如果單純的硅片上沉積鋁膜，那么后期的陽極氧化實驗不好開展，因為陽極氧化是電化學實驗，這種情況下不好引線，另外一方面，也是zui重要的一方面就是，即使上述問題解決的了，這種方法也不能得到膜厚超過1μm的活性氧化鋁膜，因為若二次氧化的鋁層厚度超過這個界限，二次氧化后的活性氧化鋁膜會從硅片上脫落下來。于是乎，人們就開始想辦法如何解決。